 Prodotti> Ingegneria cumpunente di ceramica> Ceramica in Silicon Nitale> 0,3 mm 0,635 mm di spessore Si3N4 substratu ceramicu di nitruru di siliciu

0,3 mm 0,635 mm di spessore Si3N4 substratu ceramicu di nitruru di siliciu

0,3 mm 0,635 mm di spessore Si3N4 substratu ceramicu di nitruru di siliciu

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Additional Information

Imballaggi: Esporta cartone

Produttività: 100000 pieces/month

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Postu d 'Origane: Cina

Ability Ability: 50000 pieces/month

Certificate: RoHS

Codice HS: 8547100000

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Attributi di u Produttu

Nimu di mudellu: Standard or custom-made

Marca: ceramica Jinghui

Locu D'origine: Cina

Specie: Parti di Ceramica

Applicazione: Ceramica Industriale

Materiale: Ceramica in allumina

Serviziu Di Trasfurmazioni: Curvatura, Tagliu, Furmà

Product Name: Silicon Nitride Substrate

Material: High Purity Silicon Nitride

Shaping Method: Tape Casting

Specification: According To Customers' Specification

Precision Process: Fine Grinding, Precision Cutting

Features: High Thermal Conductivity, High Thermal Shock

Application: For Igbt Modules

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Descrizzione

0,3 mm 0,635 mm di spessore Si3N4 substratu ceramicu di nitruru di siliciu E caratteristiche principali di u sustrato ceramicu Si3N4 1. Alta conductività termale (finu à 70 W / mk), 3 volte quella di sustrato ceramica allumina; 2. U coefficient di espansione termale (3,1 × 10-6 / ℃) currisponde à u materiale di siliciu semiconductor (3,5-4,0 × 10-6 / ℃); 3. A forza di curvatura hè più altu ch'è quellu di u sustrato d'alumina, chì hè duie volte quellu di u sustrato...

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Category: Ceramica in Silicon Nitale

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